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CMP7N65A
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 这款功率 MOSFET 采用 Cmos 的先进平面条形 DMOS 技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP7N65A
- 商品编号
- C22364960
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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