CMD35N06B
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD35N06B
- 商品编号
- C22364949
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
5+￥0.80218￥0.8444
50+￥0.634125￥0.6675
150+￥0.55005￥0.579
500+￥0.487065￥0.5127
2500+￥0.43662￥0.4596￥1149
5000+￥0.411445￥0.4331￥1082.75
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
200
江苏仓
10
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个 )个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交14单
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