BD22641G-MTR

BD22641G-M 是一款低导通电阻的N沟道MOSFET高边电源开关，专为通用串行总线（USB）应用优化。它具备过流检测、热关断、欠压锁定和软启动功能。输入电压范围为2.7V至5.5V，导通电阻为120mΩ（典型值），过流阈值为0.76A（典型值）。待机电流为0.01μA（典型值），工作温度范围为-40°C至+105°C。

该器件符合AEC-Q100标准，内置低导通电阻的N沟道MOSFET，并在电源开关关闭时提供反向电流保护。它还包括热关断、欠压锁定、开漏错误标志输出和输出放电功能。控制输入逻辑为高电平有效。

提供了典型的电路应用和引脚配置，以及详细的电气特性、时序图和典型性能曲线。指定了推荐的工作条件和绝对最大额定值，并概述了处理、安装和存储的注意事项。

• AEC-Q100认证
• 过流阈值：0.76A
• 内置低导通电阻（典型值120毫欧）N沟道MOSFET
• 电源开关关闭时的反向电流保护
• 过温关断
• 欠压锁定
• 开漏错误标志输出
• 输出放电功能
• 软启动电路
• 控制输入逻辑：高电平有效

• 汽车相关附件
• 工业用应用程序