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YJS4435B

1个P沟道 耐压:30V 电流:10A

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描述
Trench Power LV MOSFET技术。高密度单元设计,实现低导通电阻(RDS(ON))。高速开关。湿度敏感度等级3。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
品牌名称
YANGJIE(扬杰)
商品型号
YJS4435B
商品编号
C20605952
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.18675克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)24nC@10V
输入电容(Ciss)1.22nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)170pF

商品概述

  • 沟槽式低压功率MOSFET技术
  • 高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
  • 高速开关
  • 出色的稳定性和一致性
  • 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
  • 无卤

应用领域

  • 功率开关应用-不间断电源-负载开关-便携式设备

数据手册PDF