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YJS10G06A
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。低导通电阻和品质因数。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级为3级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJS10G06A
- 商品编号
- C20605946
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.187克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 潮湿敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
应用领域
-功率开关应用-不间断电源-DC-DC转换器