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YJL3415KC
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。低导通电阻（RDS(ON)）和低正向二极管导通电阻（FDM）。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿气敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL3415KC
- 商品编号
- C20605887
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 湿度敏感度等级 3
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级要求
- 无卤
商品特性
- 漏源电压VDS -20 V
- -5A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时)< 40 mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -2.5V时)< 70 mΩ
- 静电放电(HBM)防护能力高达2.0KV
应用领域
-电源管理-便携式设备