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SI2392BDS-T1-GE3
N沟道，100 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：DC/DC 转换器 / 升压转换器。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2392BDS-T1-GE3
- 商品编号
- C20346098
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
- 针对直流至4000MHz的宽带运行进行优化
- 25W P₃dB连续波窄带功率
- 在500 - 1000MHz频段内，具有10W P₃dB连续波宽带功率
- 可在高达32V的电压下运行
- 100%射频测试
- 热性能增强的行业标准封装
- 高可靠性镀金工艺
- 无铅且符合RoHS标准
- 受EAR99出口管制
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