SIHB085N60EF-GE3
SIHB085N60EF-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB085N60EF-GE3
- 商品编号
- C20346111
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 84mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 184W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS） - 60 V（漏极电流（ID） = 100 μA）
- 漏极电流（ID） 100 A
- 导通电阻（RDS(ON)） - 最大 4.8 mΩ（漏极电流（ID） = 35 A，栅源电压（VGS） = 10 V）
- 通过 AEC - Q101 认证
- 可在 175°C 环境下工作
- 低导通电阻
- 栅极具备齐纳二极管静电放电保护
- 100% 经过雪崩测试
- 符合 RoHS 指令
应用领域
- 电动助力转向系统(EPS)-电机-DC/DC 转换器-其他开关模式电源(SMPS)
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