温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHG155N60EF-GE3
N沟道 600V 21A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：第四代E系列技术。 低品质因数 (FOM) R(on)×Q(g)，符合RoHS标准。 低有效电容 (C(o(er)))，无卤。 降低开关和传导损耗。 雪崩能量额定 (UIS)。应用：服务器和电信电源。 开关模式电源 (SMPS)
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG155N60EF-GE3
- 商品编号
- C20346117
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 159mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.465nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
DJR0417是一款P沟道沟槽功率MOSFET，专为需要反接电池保护的汽车电子单元负载开关而设计。由于DJR0417在漏极和源极之间有一个双向二极管，仅用一个负载开关即可实现反接电池保护。
商品特性
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS） - 40V（漏极电流ID = -100 μA）
- 漏极电流（ID） -17 A
- 导通电阻（RDS(ON)） 最大75 mΩ（漏极电流ID = -8.5 A，栅源电压VGS = -10 V）
- 符合汽车级标准
- 仅用一个元件即可配置负载开关
- 用于反接电池保护
- 符合RoHS指令
应用领域
- 汽车电池
相似推荐
其他推荐
- SIHG22N60EF-GE3
- SIHG70N60AEF-GE3
- SIHH085N60EF-T1GE3
- SIHH150N60E-T1-GE3
- SIHH155N60EF-T1GE3
- SIHK085N60EF-T1GE3
- SIHK105N60E-T1-GE3
- SIHK155N60E-T1-GE3
- SIHK155N60EF-T1GE3
- SIHK185N60EF-T1GE3
- SIHP050N60E-GE3
- SIHP085N60EF-GE3
- SIHP150N60E-GE3
- SIHP155N60EF-GE3
- SIJ4106DP-T1-GE3
- SIJ4108DP-T1-GE3
- SIR5108DP-T1-RE3
- SIR5110DP-T1-RE3
- SIR5112DP-T1-RE3
- SIR5607DP-T1-RE3
- SIR5623DP-T1-RE3