SIHG70N60AEF-GE3
SIHG70N60AEF-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG70N60AEF-GE3
- 商品编号
- C20346119
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 417W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 410nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.348nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 238pF |
商品特性
- TrenchFET第五代P沟道功率MOSFET
- 极低的RDS(on)可将电压降降至最低，并降低传导损耗
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 适配器和充电器开关
- 电池和电路保护
- 或门功能
- 负载开关
- 电机驱动控制
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