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SIHB6N80AE-GE3
N沟道功率MOSFET，具有低品质因数、低有效电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定值和集成齐纳二极管ESD保护，可降低开关和传导损耗
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB6N80AE-GE3
- 商品编号
- C20346113
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 826mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 422pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 24pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
- 低有效电容(Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 集成齐纳二极管静电放电保护
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源(SMPS)
- 功率因数校正电源(PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯(HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源
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