• SIHB6N80AE-GE3商品缩略图
型号：SIHB6N80AE-GE3品牌：VISHAY(威世)名称：N沟道功率MOSFET，具有低品质因数、低有效电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定值和集成齐纳二极管ESD保护，可降低开关和传导损耗
SIHB6N80AE-GE3实物图
本页面提供VISHAY(威世)的SIHB6N80AE-GE3产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。SIHB6N80AE-GE3参考售价为11.17元起，现货库存数量20个
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准