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SIA112LDJ-T1-GE3
N沟道 100V 8.8A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET针对最低的RDS-Qoss品质因数进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试。应用：初级侧开关。 DC/DC转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA112LDJ-T1-GE3
- 商品编号
- C20346104
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 355pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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