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SIAA00DJ-T1-GE3
SIAA00DJ-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIAA00DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C20346106
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 优化的Qg、Qgd以及Qgd/Qgs比可降低开关相关的功率损耗
- 为电源管理设计提供出色的通用性
- 在超紧凑的封装尺寸下实现极低的RDS(on)和出色的RDS - Qg品质因数(FOM)
- 针对高频开关进行优化
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 高功率密度DC/DC
- 同步降压转换器
- 负载开关
- 电池充电与管理
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