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SIA4446DJ-T1-GE3
N沟道MOSFET，采用热增强型PowerPAK SC-70封装，TrenchFET GenIV功率MOSFET，针对最低Rps - Qoss品质因数进行优化
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA4446DJ-T1-GE3
- 商品编号
- C20346105
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 19.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 915pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 针对最低的 RDS - Qoss 品质因数进行优化
- 热性能增强的PowerPAK SC - 70封装 - 小尺寸占位面积
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-DC/DC转换器-同步整流-电机驱动控制-电池管理与保护-负载开关
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