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SI4534DY-T1-GE3实物图
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SI4534DY-T1-GE3

SI4534DY-T1-GE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4534DY-T1-GE3
商品编号
C20346100
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.172克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.3W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)650pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)95pF

商品特性

  • TrenchFET第四代功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 完全无铅(Pb)器件

应用领域

  • 冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器
  • 风扇控制
  • 负载开关

数据手册PDF