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SI9634DY-T1-GE3
双N沟道60V（D-S）MOSFET
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 全无铅器件。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率，降低开关相关功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI9634DY-T1-GE3
- 商品编号
- C20346103
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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