温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4190BDY-T1-GE3
N沟道100V（D - S）MOSFET，采用SO - 8单封装，具备TrenchFET Gen IV技术，低Rds x Qg和Rds x Qoss优值，支持逻辑电平栅极驱动
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4190BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C20346099
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 235pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 针对最低的RDS × Qoss品质因数进行优化
- 逻辑电平栅极驱动
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-电机驱动开关-LED驱动器-负载开关
相似推荐
其他推荐
- SI4534DY-T1-GE3
- SI4848BDY-T1-GE3
- SI6913DQ-T1-BE3
- SI9634DY-T1-GE3
- SIA112LDJ-T1-GE3
- SIA4446DJ-T1-GE3
- SIAA00DJ-T1-GE3
- SIHA12N50E-E3
- SIHA150N60E-GE3
- SIHA155N60EF-GE3
- SIHB080N60E-GE3
- SIHB085N60EF-GE3
- SIHB150N60E-GE3
- SIHB6N80AE-GE3
- SIHFR220TRL-GE3
- SIHG085N60EF-GE3
- SIHG150N60E-GE3
- SIHG155N60EF-GE3
- SIHG22N60EF-GE3
- SIHG70N60AEF-GE3
- SIHH085N60EF-T1GE3