SI1480BDH-T1-GE3
SI1480BDH-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1480BDH-T1-GE3
- 商品编号
- C20346096
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
1200V，VGS = 20V时典型值为180 mΩ，VGS = 18V时典型值为207 mΩ，碳化硅（SiC）N沟道MOSFET，TO - 247封装。
商品特性
- 提供符合AEC - Q101标准的选项
- 低电容和低栅极电荷
- 由于内部栅极电阻（ESR）低，开关速度快
- 在高结温下运行稳定，TJ(max) = 175°C
- 体二极管快速可靠
- 出色的雪崩耐量
- 符合RoHS标准
应用领域
- 光伏（PV）逆变器、转换器和工业电机驱动器
- 智能电网输配电
- 感应加热和焊接
- 混合动力电动汽车（HEV）动力系统和电动汽车（EV）充电器
- 电源和配电
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