商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 15.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
这款13.6 V、55 W的器件专为陆地移动无线电（LMR）应用而设计，支持从高频（HF）到520 MHz的频率范围。
商品特性
-N沟道增强型器件-DMOS结构-用于宽带操作的较低电容-高饱和输出功率-比双极型器件更低的噪声系数-符合RoHS标准
应用领域
- VHF和UHF频段的TETRA、单边带（SSB）和长期演进（LTE）移动无线电应用
- 宽带无线电应用，频率范围为5 MHz至30 MHz以及30 MHz至512 MHz