- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 206W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GC041N65QF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
-N沟道增强型器件-DMOS结构-低电容,适用于宽带操作-高饱和输出功率-噪声系数低于双极型器件-符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器