商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 159W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- N沟道增强型器件
- DMOS结构
- 低电容,适用于宽带操作
- 高饱和输出功率
- 比双极型器件噪声系数更低
- 符合RoHS标准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 159W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |