商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 48.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
-N沟道增强型器件-DMOS结构-低电容,适用于宽带操作-共源极配置-低本底噪声-符合RoHS标准-工作频率范围为100 MHz至500 MHz
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| 耗散功率(Pd) | 48.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
-N沟道增强型器件-DMOS结构-低电容,适用于宽带操作-共源极配置-低本底噪声-符合RoHS标准-工作频率范围为100 MHz至500 MHz