2SK4161D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS） - 60V（漏极电流（ID） = 100μA）
- 漏极电流（ID） - ±6A
- 导通电阻（RDS(ON)） - 最大0.22Ω
- 内置由P沟道MOSFET和N沟道MOSFET构成的三个半桥电路
- 低导通电阻
- 每个栅极均有ESD保护齐纳二极管
- 符合RoHS指令
应用领域
- 三相直流电机驱动器