2SK4161D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源击穿电压(V(BR)DSS) - 60 V(漏极电流(ID) = 100 μA)
- 漏极电流(ID) 100 A
- 导通电阻(RDS(ON)) - 最大 4.8 mΩ(漏极电流(ID) = 35 A,栅源电压(VGS) = 10 V)
- 通过 AEC - Q101 认证
- 可在 175°C 环境下工作
- 低导通电阻
- 栅极具备齐纳二极管静电放电保护
- 100% 经过雪崩测试
- 符合 RoHS 指令
应用领域
-电动助力转向系统(EPS)-电机-DC/DC 转换器-其他开关模式电源(SMPS)