商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
主要为高达 150 MHz 的线性大信号输出级设计
商品特性
- 卓越的高阶互调失真（IMD）性能
- 规定了 50V、30MHz 特性
- 对所有相位角下的负载失配进行 100% 测试