商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器/升压转换器-负载开关-液晶电视的LED背光源-移动计算设备的电源管理