商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- N沟道增强型器件
- DMOS结构
- 较低电容，适用于宽带操作
- 共源极配置
- 较低本底噪声
- 宽带线性操作
- 500 MHz至1400 MHz
- 符合RoHS标准
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