XM1003-BD-000V

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: M/A-COM Tech的32.0-42.0 GHz GaAs MMIC次谐波图像抑制混频器可以用作上变频器或下变频器。该设备在频带内具有9.0 dB的转换损耗和18.0 dB的图像抑制。提供I和Q混频器输出，需要外部90度混合器来选择所需的边带。该MMIC使用M/A-COM Tech的GaAs HBT设备模型技术，基于电子束光刻技术，确保高重复性和均匀性。
品牌名称: MACOM
商品型号: XM1003-BD-000V
商品编号: C20344570
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

该32.0-42.0 GHz GaAs MMIC次谐波镜像抑制混频器可用作上变频器或下变频器。该器件在频带内具有9.0 dB的转换损耗和18.0 dB的镜像抑制。提供I和Q混频器输出，需要外部90度混合器来选择所需边带。此MMIC采用GaAs HBT器件模型技术，并基于电子束光刻技术以确保高重复性和均匀性。芯片具有表面钝化以提供坚固保护，背面带有通孔和金金属化，允许采用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片贴装。

商品特性

次谐波镜像抑制混频器
GaAs HBT技术
9.0 dB转换损耗
18.0 dB镜像抑制
100%晶圆上射频测试
RoHS兼容且260°C回流焊兼容

应用领域

毫米波点对点无线电
LMDS
SATCOM
VSAT

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	RF混频器
	RF频率范围	32GHz~42GHz
	IF频率范围	0Hz~4GHz
	LO频率范围	15GHz~23GHz
	通道数	-
	P1dB	-
	IP3	14dBm
	隔离度(L-R)	40dB

	属性	参数值
	隔离度(L-I)	-
	增益/损耗	-9dB
	噪声系数	-
	工作电压	-
	工作电流	-
	工作温度	-55℃~+125℃
	功能特性	-