XX1007-BD-000V

M/A-COM Tech 的 13.5-17.0 / 27.0-34.0 GHz 砷化镓 MMIC 倍频器将增益级、无源倍频器和驱动放大器集成在单个器件上。该器件采用自偏置架构，仅需单一正电源 (+5V)，并集成了片上旁路电容，无需外部电容。该 MMIC 采用 M/A-COM Tech 的砷化镓 PHEMT 器件模型技术，并基于电子束光刻技术，以确保高重复性和一致性。该芯片集成了 ESD 保护结构和表面钝化层，背面带有通孔和金金属化层，允许采用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片贴装。该器件非常适用于毫米波点对点无线电、LMDS 和 VSAT 应用。

• 集成增益、倍频器和驱动级
• 自偏置架构
• +21.0 dBm 输出饱和功率
• 40.0 dBc 基波抑制
• 片上 ESD 保护
• 100% 晶圆级射频、直流和输出功率测试
• 符合 RoHS* 标准且兼容 260°C 回流焊

• 毫米波点对点无线电
• 本地多点分配系统
• 甚小孔径终端