XM1002-BD-000V
XM1002-BD-000V
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- 描述
- MACOM 的 34.0-46.0 GHz GaAs MMIC 基本图像抑制混频器可用作上变频或下变频器。该设备在带宽内的转换损耗为 7.0 dB,图像抑制为 20.0 dB。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- XM1002-BD-000V
- 商品编号
- C20344569
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 34GHz~46GHz | |
| IF频率范围 | 0Hz~4GHz | |
| LO频率范围 | 30GHz~50GHz | |
| 通道数 | - | |
| P1dB | - | |
| IP3 | 24dBm | |
| 隔离度(L-R) | 11dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离度(L-I) | 30dB | |
| 增益/损耗 | -7dB | |
| 噪声系数 | - | |
| 工作电压 | - | |
| 工作电流 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
该34.0-46.0 GHz GaAs MMIC基波镜频抑制混频器可用作上变频器或下变频器。该器件具有7.0 dB的转换损耗,并在整个频带内提供20.0 dB的镜频抑制。它提供I和Q混频器输出,需要外部90度混合器来选择所需边带。该MMIC采用GaAs PHEMT器件模型技术,并基于电子束光刻技术,以确保高重复性和一致性。芯片具有表面钝化层,以提供坚固的保护,并带有背面通孔和金金属化层,允许采用导电环氧树脂或共晶焊料进行芯片贴装。
商品特性
- 基波镜频抑制混频器
- 7.0 dB转换损耗
- 20.0 dB镜频抑制
- +24 dBm输入三阶截点
- 100%晶圆上射频测试
- 符合RoHS*标准,兼容260°C回流焊
应用领域
- 毫米波点对点无线电
- LMDS
- SATCOM
- VSAT
- XM1003-BD-000V
- XP1035-QH-0G0T
- XR1015-QH-0G0T
- XR1015-QH-EV1
- XX1000-BD-000V
- XX1007-BD-000V
- NHD-3.5-320240MF-20 CONTROLLER BOARD
- NHD-4.3-480272MF-20 CONTROLLER BOARD
- NHD-5.0-800480TF-20 CONTROLLER BOARD
- NHD-5.0-800480TF-22 CONTROLLER BOARD
- NHD-5.0-800480TF-34 CONTROLLER BOARD
- 2SD2633
- 2SK4161D
- CTXS-5306S
- DJR0417
- DKG1020
- FKV460S
- FLD470
- FMW-4304
- MLD685D
- SG-10LR

