商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
G1002采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于各种场景。
商品特性
- N沟道增强型器件
- 符合CECOM图纸A3012715
- 专为跳频系统设计
- 30 - 90 MHz
- 宽带工作时电容更低
- 噪声系数低于双极型器件
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器