商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@2V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
商品概述
MSCSM170HM23CT3AG器件是一款1700 V、124 A的全桥碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
商品特性
- 针对直流至4000MHz的宽带运行进行优化
- 25W P3dB连续波窄带功率
- 在500 - 1000MHz频段内,具有10W P3dB连续波宽带功率
- 可在高达32V的电压下运行
- 100%射频测试
- 热性能增强的行业标准封装
- 高可靠性镀金工艺
- 无铅且符合RoHS标准
- 受EAR99出口管制
应用领域
- 焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电动汽车电机和牵引驱动