商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 135pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
G28N02T采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
-N沟道增强型器件-DMOS结构-较低电容,适用于宽带操作-高饱和输出功率-噪声系数低于同类竞争器件-符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
- UF28100V
- UF2815B
- UF2840P
- XB1004-BD-000V
- XB1005-BD-000V
- XB1007-QT-0GPT
- XB1008-QT-0G00
- XD1001-BD-000V
- XM1002-BD-000V
- XM1003-BD-000V
- XP1035-QH-0G0T
- XR1015-QH-0G0T
- XR1015-QH-EV1
- XX1000-BD-000V
- XX1007-BD-000V
- NHD-3.5-320240MF-20 CONTROLLER BOARD
- NHD-4.3-480272MF-20 CONTROLLER BOARD
- NHD-5.0-800480TF-20 CONTROLLER BOARD
- NHD-5.0-800480TF-22 CONTROLLER BOARD
- NHD-5.0-800480TF-34 CONTROLLER BOARD
- 2SD2633


