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UF28100M
参数完善中
G28N02T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
-N沟道增强型器件-DMOS结构-较低电容,适用于宽带操作-高饱和输出功率-噪声系数低于同类竞争器件-符合RoHS标准
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