商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.35kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
商品概述
700V，VGS = 20V 时典型值为 90 mΩ，VGS = 18V 时典型值为 102 mΩ，碳化硅 (SiC) N 沟道 MOSFET，TO - 247 封装。
商品特性
- 规定50伏、30 MHz特性
- 输出功率 = 600瓦
- 功率增益 = 21 dB(典型值)
- 效率 = 45%(典型值)
应用领域
- 光伏 (PV) 逆变器、转换器和工业电机驱动器
- 智能电网输配电
- 感应加热和焊接
- 混合动力电动汽车 (HEV) 动力系统和电动汽车 (EV) 充电器
- 电源与配电