商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.35kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100mA |
商品概述
700V，VGS = 20V 时典型值为 90 mΩ，VGS = 18V 时典型值为 102 mΩ，碳化硅 (SiC) N 沟道 MOSFET，TO - 247 封装。
商品特性
- 提供符合 AEC - Q101 标准的选项
- 低电容和低栅极电荷
- 由于内部栅极电阻 (ESR) 低，开关速度快
- 在高结温下稳定运行，TJ(max) = 175°C
- 体二极管快速可靠
- 卓越的雪崩耐量
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 光伏 (PV) 逆变器、转换器和工业电机驱动器
- 智能电网输配电
- 感应加热和焊接
- 混合动力电动汽车 (HEV) 动力系统和电动汽车 (EV) 充电器
- 电源与配电