商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
适用于基站应用的850 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，频率范围为617 MHz至960 MHz。
商品特性
-N沟道增强型器件-DMOS结构-较低的电容,适用于宽带操作-高饱和输出功率-比双极型器件更低的噪声系数-符合RoHS标准
应用领域
- 用于617 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器