商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
适用于基站应用的600 W LDMOS封装非对称多尔蒂功率晶体管，工作频率范围为616 MHz至960 MHz。
商品特性
- N沟道增强型器件
- DMOS结构
- 用于宽带操作的较低电容
- 高饱和输出功率
- 比双极型器件更低的噪声系数
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于616 MHz至960 MHz频率范围的基站和多载波应用的RF功率放大器