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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.01W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款第二代横向MOSFET(LD - MOS)经过精心设计,可将导通损耗降至最低,并实现超快速开关,非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装(CSP),通过将低热阻抗与单位占位面积的最小RDS(ON)相结合,提高了功率密度。
商品特性
- 具备最低品质因数的LD - MOS技术:RDS(ON) = 18 mΩ,可将导通损耗降至最低;Qg = 3.2 nC,实现超快速开关
- 典型VGS(th) = 0.8 V,具备低开启电位
- 占位面积为1.0mm × 1.0mm的CSP封装
- 高度为0.45mm,实现薄型化设计
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-电池管理-负载开关