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DMN1019USNQ-7
DMN1019USNQ-7
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1019USNQ-7
- 商品编号
- C19949297
- 商品封装
- SC-59-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@1.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50.6nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.426nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 396pF |
商品特性
- 超结技术
- 优值小，性能卓越
- 高换向性能
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关电源
- 照明