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DMN1019USNQ-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN1019USNQ-13

DMN1019USNQ-13

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN1019USNQ-13
商品编号
C19949296
商品封装
SC-59-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)9.3A
导通电阻(RDS(on))41mΩ@1.2V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))800mV
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50.6nC@8V
输入电容(Ciss)2.426nF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)396pF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 静电放电(ESD)保护栅极
  • 完全无铅且完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

-负载开关-直流-直流转换器-电源管理功能

数据手册PDF