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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 100%进行UIS和Rg测试
- 逻辑电平栅极驱动
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 符合IEC 61249-2-21的无卤要求
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理功能-背光源