温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC31D5UDAQ-7B
DMC31D5UDAQ-7B
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC31D5UDAQ-7B
- 商品编号
- C19949272
- 商品封装
- X2-DFN0806-6
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端设计方案，在不随时间降低性能的前提下，增强了耐压能力。此外，这款先进的MOSFET经过设计，能够承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严苛的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
~~- 坚固的高压终端设计-规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管适用于桥式电路-规定高温下的IDSS和VDS(ON)