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CMB020N06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMB020N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:140A

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描述
020N06采用先进技术,可实现出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源(SMPS)、负载开关及通用电路中的低端场效应晶体管(FET)。
商品型号
CMB020N06
商品编号
C19724734
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.77克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))2.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)214W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC@10V
输入电容(Ciss)6.9nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.4nF

商品概述

5972是一款具有极高单元密度的N沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。

商品特性

  • 驱动要求简单
  • 开关速度快
  • 导通电阻低

应用领域

  • 电机控制
  • 直流-直流转换器
  • 通用功率放大器

数据手册PDF