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CMB020N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:140A
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- 描述
- 020N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关及通用电路中的低端场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMB020N06
- 商品编号
- C19724734
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.4nF |
商品概述
5972是一款具有极高单元密度的N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-电源-动力电机控制