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CMD60N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 60N03 是一款 N 沟道 MOSFET 器件，具有低导通电阻和出色的开关特性，专为低压大电流应用而设计，如带同步整流器的 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD60N03
- 商品编号
- C19724738
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.15nF |
商品概述
80N06采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 驱动要求简单
- 栅极电荷低
- 开关速度快
- 导通电阻低
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步降压转换器
- DC/DC转换器
- 电机驱动器