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CMP1405
1个N沟道 耐压:55V 电流:140A
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- 描述
- 1405采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP1405
- 商品编号
- C19724743
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO8814是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该器件符合RoHS标准和产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7.5A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 13mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- TSSOP-8封装
- 双N沟道MOSFET