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CMSL300N04S4-1R1
1个N沟道 耐压:40V 电流:400A
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- 描述
- CMSL300N04S4 - 1R1采用先进的超级沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSL300N04S4-1R1
- 商品编号
- C19724753
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.905克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.3nF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSL300N04S4-1R1采用先进的超级沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
~~- 表面贴装封装-先进的沟槽单元设计-超级沟槽-MSL1
应用领域
- 电力设备-电动工具设备-高功率逆变器系统
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