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CMSA040N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:130A
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- 描述
- CMSA040N10采用先进的工艺技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA040N10
- 商品编号
- C19724750
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |