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CMSC7315
1个P沟道 耐压:150V 电流:9A
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- 描述
- P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSC7315
- 商品编号
- C19724752
- 商品封装
- DFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
CMSA040N10采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 有源钳位开关
- 负载开关
- 便携式设备和电池供电系统
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