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CMP80N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 80N06 是一款具有极高单元密度的 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP80N06
- 商品编号
- C19724746
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
020N06采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-电源-动力电机控制