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CMN2305AM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 描述
- CMN2305AM采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN2305AM
- 商品编号
- C19724742
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AO8810是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 7A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 14mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- TSSOP - 8封装
- 双N沟道MOSFET