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CMH1608
1个N沟道 耐压:80V 电流:160A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMH1608
- 商品编号
- C19724740
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.066667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
商品概述
120N15采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源开关应用